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J-GLOBAL ID：200903024567353216

集積回路

Inventor： イシック シー.キツィルヤーリ ,  イ マ ,  セイリー マンシン マーチャント ,  プラディプ クマー ロイ
Applicant, Patent owner： ルーセント テクノロジーズ インコーポレイテッド
Agent (1)： 三俣 弘文
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000189026
Publication number (International publication number)：2001044140
Application date： Jun. 23, 2000
Publication date： Feb. 16, 2001
Summary：

【要約】【課題】 従来構造において二酸化シリコンのごく薄い層で起こる問題を回避しながら、特徴サイズを小さくして、集積化/極小化を増加させるような、ゲート誘電体構造とその製造方法を提供する。【解決手段】 基板とゲート電極との間に形成された、誘電体材料層を有するゲートスタック構造と、その製造方法を提供し、この誘電体材料層は、2.5nm以下の電気的厚さを有し、そして二酸化シリコン以外の、少なくとも1つの層を有する。基板上に誘電体材料層を堆積し、この誘電体材料層の上に直接導電層を堆積することにより形成する。

Claim (excerpt)：

基板(101)と、前記基板の上に形成された誘電体材料層(103)と、前記誘電体材料層の上に形成された電極(104)と、を有し、前記誘電体材料層(103)は、2.5nm以下の等価電気厚さを有し、かつ二酸化シリコン以外の少なくとも1つの層を含むことを特徴とする集積回路。

IPC (5)：

H01L 21/283 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/43 ,  H01L 29/78

FI (4)：

H01L 21/283 C ,  H01L 27/08 321 D ,  H01L 29/62 G ,  H01L 29/78 301 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭62-035562
  
• 特開平2-184079