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J-GLOBAL ID：200903024591657331

半導体装置

Inventor： 川浦 久雄
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993239345
Publication number (International publication number)：1995094732
Application date： Sep. 27, 1993
Publication date： Apr. 07, 1995
Summary：

【要約】【目的】半導体装置のホットキャリア耐性を向上させる。【構成】MOS型集積回路のゲート電極5Aとして透明電極を採用することで、ドレイン3近傍の高電界により発生したホットキャリアが再結合する再に放出されるフォトン6が、ゲート電極5Aとゲート酸化膜4の界面で反射して再び半導体基板内に侵入する事を防止する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極を有する半導体装置において、前記ゲート電極は近赤外光及び可視光を透過する材料で形成されている事を特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/43

FI (2)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/62 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特公昭51-009275
  
• 特開昭51-135382