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J-GLOBAL ID:200903024609076935

半導体装置とその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 井桁 貞一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995049699
Publication number (International publication number):1996250641
Application date: Mar. 09, 1995
Publication date: Sep. 27, 1996
Summary:
【要約】【目的】 基板の下面に表面実装用の端子がマトリックス状に配設されたパッケージを有する高集積度半導体装置に関し、部品コストを低減し組立工程を簡略化できるパッケージを用いた半導体装置とその製造方法の提供を目的とする。【構成】 上記課題はベース基板5が、少なくともそれぞれの上面が同一平面をなすよう所定の位置に配置された複数の金属部品6と、金属部品6の上下にはみ出すことのないよう金属部品6の相対する側面間に充填された結合用樹脂7からなり、金属部品6が、外周に沿って設けられたフレーム外枠61と、中央部に配置されたダイステージ62と、ダイステージ62をフレーム外枠61に結合する複数の支承腕63と、ダイステージ62とフレーム外枠61と支承腕63とで囲まれた空間に配列され、突起状実装端子64が下面に突出してなる複数のボンディングパッド65とを含む本発明の半導体装置によって達成される。
Claim (excerpt):
ベース基板が、少なくともそれぞれの上面が同一平面をなすよう所定の位置に配置された複数の金属部品と、該金属部品の上下にはみ出すことのないよう該金属部品の相対する側面間に充填された結合用樹脂からなり、該金属部品が、外周に沿って設けられたフレーム外枠と、中央部に配置されたダイステージと、該ダイステージを該フレーム外枠に結合する複数の支承腕と、該ダイステージと該フレーム外枠と該支承腕とで囲まれた空間に配列され、突起状実装端子が下面に突出してなる複数のボンディングパッドとを含み、該ダイステージ上にダイボンディングされた半導体チップと該ボンディングパッドとの間がワイヤを介して接続され、該半導体チップと該ワイヤとが該ベース基板上面を被覆する樹脂層内部に封止されてなることを特徴とする半導体装置。
IPC (3):
H01L 23/50 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 23/12
FI (3):
H01L 23/50 P ,  H01L 21/60 301 M ,  H01L 23/12 L

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