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J-GLOBAL ID：200903024609347947

半導体の封止方法

Inventor： 篠原 弘信
Applicant, Patent owner： 日本合成ゴム株式会社
Agent (1)： 白井 重隆
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992354904
Publication number (International publication number)：1994188336
Application date： Dec. 18, 1992
Publication date： Jul. 08, 1994
Summary：

【要約】【目的】 成形時に半導体チップの破損やワイヤー変形がなく、耐熱性、ヒートサイクル特性、光透過性、長期信頼性およびリードフレームなどとの密着性に優れた半導体の封止方法を提供する。【構成】 半導体チップをマウントしたリードフレームを金型に連続的に供給しつつ、下記一般式(I)で表されるノルボルネン誘導体を開環重合して得られるノルボルネン系樹脂を水素添加して得られる水添ノルボルネン系樹脂を、樹脂温度280〜360°C、金型温度を(Tg-80)°C〜(Tg+10)°C〔ただし、Tgは水添ノルボルネン系樹脂のガラス転移温度(°C)〕とし、射出圧力10〜200kgf/cm2 で射出成形し樹脂封止する半導体の封止方法。【化1】〔式中、A、BおよびXは水素原子または炭素数1〜10の炭化水素基、Yは-(CH2 )n COOR1 または-(CH2 )n OCOR1 を示し、ここでR1 は炭素数1〜20の炭化水素基、nは0または1〜10の整数を示す。〕

Claim (excerpt)：

半導体チップをマウントしたリードフレームを金型に連続的に供給しつつ、下記一般式(I)で表されるノルボルネン誘導体を開環重合して得られるノルボルネン系樹脂を水素添加して得られる水添ノルボルネン系樹脂を、樹脂温度280〜360°C、金型温度を(Tg-80)°C〜(Tg+10)°C〔ただし、Tgは水添ノルボルネン系樹脂のガラス転移温度(°C)〕とし、射出圧力10〜200kgf/cm2 で射出成形し樹脂封止することを特徴とする半導体の封止方法。【化1】〔式中、A、BおよびXは水素原子または炭素数1〜10の炭化水素基、Yは-(CH2 )n COOR1 または-(CH2 )n OCOR1 を示し、ここでR1 は炭素数1〜20の炭化水素基、nは0または1〜10の整数を示す。〕

IPC (5)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  B29C 45/00 ,  C08L 65/00 LNY ,  H01L 21/56