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J-GLOBAL ID：200903024610283596

炭化けい素半導体装置の熱酸化膜形成方法

Inventor： 上野 勝典
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 篠部 正治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998186535
Publication number (International publication number)：1999074263
Application date： Jul. 01, 1998
Publication date： Mar. 16, 1999
Summary：

【要約】【課題】炭化けい素半導体装置の熱酸化膜形成時の形成速度を速める。【解決手段】(1)水蒸気と酸素との混合雰囲気中で酸化する際、水蒸気分圧を0.1〜0.9の範囲に制御する。(2)水素と酸素を導入して熱酸化するパイロジェニック酸化法において、水素と酸素との流量比を、1:0.6〜1:9.5の範囲とする。(3)水素と酸素を導入して熱酸化するパイロジェニック酸化法において、水素と酸素との流量比を、ほぼ1:4.5として酸化膜の大部分を形成後、水素と酸素との流量比を、ほぼ1:0.55として残りの酸化膜を形成する。

Claim (excerpt)：

加熱された炭化けい素表面上に、水蒸気と酸素とを導入して酸化けい素膜を成長させる熱酸化膜形成方法において、水蒸気の分圧を0.1〜0.9の範囲に制御することを特徴とする炭化けい素半導体装置の熱酸化膜形成方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 炭化珪素半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-030409   Applicant：株式会社デンソー