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J-GLOBAL ID：200903024610651889

基板処理装置の基板温度制御法と基板温度制御性判定法

Inventor：
池田 真義

About 池田 真義


Applicant, Patent owner：
アネルバ株式会社

About アネルバ株式会社


Agent (1)： 田宮 寛祉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997054116
Publication number (International publication number)：1998240356
Application date： Feb. 21, 1997
Publication date： Sep. 11, 1998
Summary：
【要約】【課題】 基板処理装置で、Heガス等の伝熱ガスの制御性を向上し基板温度の制御性を向上した基板温度制御法と、基板と基板配置面の隙間状態を監視して基板温度制御状態を判定した基板温度制御性判定法を提供する。【解決手段】 処理チャンバ内で基板ホルダ上に固定された基板を処理し、基板を処理する間、基板と基板配置面の間の隙間にHeガスを流し、当該ガスの熱伝達特性で基板温度を制御し、所要温度に基板を冷却するプラズマ処理装置の基板温度制御法であり、圧力設定部50a でHeガスの圧力値を予め設定し、圧力計49で実際の圧力値を測定し、圧力制御バルブ46で測定圧力値が設定圧力値に等しくなるようにガス流量を制御する。また基板温度制御性判定部50b でガス流量を監視することにより基板温度制御性を判定する。
Claim (excerpt)：
処理チャンバ内で基板ホルダの上に固定された基板を処理し、少なくとも前記基板を処理する間、前記基板と前記基板ホルダの基板配置面との間の隙間に伝熱ガスを流し、前記基板の温度を制御する基板処理装置の基板温度制御法において、前記伝熱ガスの圧力値を予め設定し、前記伝熱ガスの実際の圧力値を測定し、前記伝熱ガスの測定された前記圧力値が、設定された前記圧力値に等しくなるように前記伝熱ガスの流量を制御することを特徴とする基板処理装置の基板温度制御法。
IPC (7)：
G05D 23/00 ,  C23F 4/00 ,  G05D 23/12 ,  G05D 23/19 ,  H01L 21/68 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065
FI (7)：
G05D 23/00 B ,  C23F 4/00 A ,  G05D 23/12 A ,  G05D 23/19 C ,  H01L 21/68 N ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 B
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)
  • 試料保持装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-041958   Applicant：沖電気工業株式会社
  • 静電吸着装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-343031   Applicant：日本電気株式会社
  • 特開平4-359539

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