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J-GLOBAL ID:200903024613146999
半導体製造工程等の排出ガス濾過処理方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
鮫島 武信 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994041818
Publication number (International publication number):1995222908
Application date: Feb. 15, 1994
Publication date: Aug. 22, 1995
Summary:
【要約】【目的】半導体製造工程等からの排出ガスの濾過処理方法において、より効率的に二酸化珪素等の微粉塵を除去し、フィルター部材の使用寿命を長くすること。【構成】半導体製造装置10と濾過装置11を配管15により接続する。濾過装置11は濾過機12と触媒槽13からなる。配管15の途中に熱風送入ユニット20を設備する。熱風送入ユニット20はヒーター21とブロアー22からなる。このユニット20にて熱風を発生させ、配管15内に熱風を送り込む。【効果】熱風により排出ガスの酸化反応から生ずる水分の悪影響を防止し、二酸化珪素の配管内表面への付着や、フィルター部材への固着を防止できる。
Claim (excerpt):
半導体製造工程又は半導体製造装置に、濾過除塵手段及び触媒槽から成る濾過装置を接続して濾過処理工程を施し、半導体製造工程又は半導体製造装置から排出される微粉塵及び有毒ガスを、除去及び無公害ガスに変換する濾過処理方法において、上記濾過処理工程の前に、熱風を送り込む熱風送入工程を付加したことを特徴とする半導体製造工程等の排出ガス濾過処理方法。
IPC (3):
B01D 51/00 ZAB
, B01D 46/00 ZAB
, B01D 53/86 ZAB
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
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特開平1-293120
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半導体排ガス除害方法とその装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-031458
Applicant:カンケンテクノ株式会社
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特開昭64-051125
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