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J-GLOBAL ID：200903024622188831

元素半導体基板上の半導体発光素子

Inventor： 阿南 隆由
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 本庄 伸介
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992201964
Publication number (International publication number)：1994021510
Application date： Jul. 06, 1992
Publication date： Jan. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】 元素半導体基板上の化合物半導体から成る発光素子において、発光波長と格子不整合を独立に扱える、ミスフィット転位の極めて少ない発光素子を提供する。【構成】 本発明による発光素子では、元素半導体基板上に積層された化合物半導体層11,12,13はダブルヘテロ構造を形成し、化合物半導体層12はキャリア閉じ込め層及び発光層として機能する。しかし一般の化合物半導体発光素子と異なり、半導体層12中にドーピングされた希土類元素により発光することに特徴がある。すなわち、発光波長はドーピングされた希土類元素で規定されており、母体材料として、元素半導体基板に格子整合する材料を選択することが可能な為、極めてミスフィット転位の少ない発光素子が得られる。

Claim (excerpt)：

元素半導体基板上に第1,第2及び第3の化合物半導体が順次に積層され、該第1及び第3の化合物半導体の禁制帯幅が該第2の化合物半導体の禁制帯幅より大きく、該第1及び第3の化合物半導体の導電性が互いに異なり、該第2の化合物半導体に希土類元素がドーピングされていることを特徴とする元素半導体基板上の半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01L 27/15