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J-GLOBAL ID：200903024665336079
半導体不揮発性記憶装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
佐藤 隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996238207
Publication number (International publication number)：1998083687
Application date： Sep. 09, 1996
Publication date： Mar. 31, 1998
Summary：
【要約】【課題】 回路構成が簡単で、しかも高速にかつ精度の高いデータプログラムを行うことのできる半導体不揮発性記憶装置を実現する。【解決手段】 プログラム動作がベリファイ読み出し動作を介して複数回のプログラム動作を繰り返し行うことによりなされるNAND型フラッシュメモリにおいて、段階電圧発生部5により出力されるプログラムワード線電圧(Vw)1〜(Vw)s、および段階電圧発生部7により出力される基準ビット線電圧(Vb)1〜(Vb)kが、ともにプログラム回数に依存して可変の電圧値に設定され、かつ、プログラムワード線電圧と基準ビット線電圧の電圧差がプログラム回数の進行にしたがって漸増するようにデータプログラムが行われる。
Claim (excerpt)：
接続されたワード線およびビット線への印加電圧に応じて電気的にプログラム可能なメモリ素子が配置され、選択メモリ素子に高電圧の第1のプログラム電圧および低電圧の第2のプログラム電圧を印加して前記第1のプログラム電圧と第2のプログラム電圧とのプログラム電圧差により、前記メモリ素子に電気的にデータプログラムを行う半導体不揮発性記憶装置であって、ベリファイ読み出し動作を介して複数回のプログラム動作を繰り返し行い、前記第1のプログラム電圧および第2のプログラム電圧をともにプログラム回数に応じた可変の電圧値に設定し、かつ前記プログラム電圧差をプログラム回数の増加にしたがって漸増させる手段を有する半導体不揮発性記憶装置。
FI (2)：
G11C 17/00 530 C
, G11C 17/00 510 A
