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J-GLOBAL ID：200903024669281953

エピタキシャルウェハの検査方法

Inventor： 海野 恒弘
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社
Agent (1)： 松本 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994202296
Publication number (International publication number)：1996064652
Application date： Aug. 26, 1994
Publication date： Mar. 08, 1996
Summary：

【要約】【目的】発光出力や応答速度をエピタキシャルウェハの状態のままで正確に評価する。【構成】エピタキシャルウェハの表面にレーザ光のパルスを照射する。レーザ光の波長は、エピタキシャルウェハ表面で吸収されず、活性層で吸収される様な波長を選択する。パルス光励起によりエピタキシャルウェハからフォトルミネッセンス光が放射される。放射されたフォトルミネッセンス光を電気信号に変換する。この変換信号の波形の時間変化からフォトルミネッセンスライフタイムを求める。発光ダイオードの発光出力のばらつきは内部量子効率のばらつきとなる。内部量子効率ηi とライフタイムτphとの間には、発光ライフタイムをτr とすると、ηi =A×(1/τr )×τph(但し、Aは比例定数)の関係にある。これよりライフタイムから発光ダイオードの発光光度を求めることができる。

Claim (excerpt)：

エピタキシャルウェハにレーザ光のパルスを照射し、そのエピタキシャルウェハより放射されたフォトルミネッセンス光の強度の時間変化からフォトルミネッセンスライフタイムを求め、そのライフタイムから発光出力を求めるエピタキシャルウェハの検査方法。