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J-GLOBAL ID：200903024684556993
半導体レーザ装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
三好 秀和 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991220613
Publication number (International publication number)：1993063291
Application date： Aug. 30, 1991
Publication date： Mar. 12, 1993
Summary：
【要約】【目的】 高温においても、動作可能であり、かつ使用可能な最大光出力の向上を図り得る。【構成】 化合物半導体基板と、該化合物半導体基板上で注入キャリアを閉じ込めるダブルヘテロ構造部とを備え、該ダブルヘテロ構造部は、前記化合物半導体基板の格子定数よりも0.5%乃至2.0%大きい格子定数を有する格子不整合化活性層と、該格子不整合化活性層にエピタキシャル接合し、前記化合物半導体基板の格子定数よりも0.2%乃至2.0%小さい格子定数を有する少なくとも一のクラッド層とを備える。
Claim (excerpt)：
化合物半導体基板と、該化合物半導体基板上で注入キャリアを閉じ込めるダブルヘテロ構造部とを備え、該ダブルヘテロ構造部は、前記化合物半導体基板の格子定数よりも大きい格子定数を有する格子不整合化活性層と、該格子不整合化活性層にエピタキシャル接合し、前記化合物半導体基板の格子定数よりも小さい格子定数を有する少なくとも一のクラッド層とを備えたことを特徴とする半導体レーザ装置。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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