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J-GLOBAL ID：200903024686629696

カーボンオニオンの合成法

Inventor： 小林 敬道 ,  関根 利守
Applicant, Patent owner： 独立行政法人物質・材料研究機構
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001333580
Publication number (International publication number)：2003137518
Application date： Oct. 31, 2001
Publication date： May. 14, 2003
Summary：

【要約】【課題】 衝撃板衝突によるカ-ボンオニオンの合成。【構成】 炭化ケイ素(α-SiCまたはβ-SiC)粉末を銅粉と混合し、その混合物を衝撃波により加圧しカーボンオニオンを合成する方法において、SiC粉末と銅粉末との加圧形成体に圧力35万気圧以上、温度2700°C以上の超高圧超高温の衝撃圧縮を利用することを特徴とするカ-ボンオニオンの合成法。SiC粉末と銅粉末との混合物の加圧形成体の密度は6.0g/cm3以上、衝撃圧縮の圧力は35万気圧以上が好ましい。

Claim (excerpt)：

炭化ケイ素粉末を銅粉末と混合し、その混合物を衝撃波により加圧しカーボンオニオンを合成する方法において、SiC粉末と銅粉末との加圧形成体に圧力35万気圧以上、温度2700°C以上の超高圧超高温の衝撃圧縮を行うことを特徴とするカ-ボンオニオンの合成法。

F-Term (5)：

4G046CA00 ,  4G046CB00 ,  4G046CC02 ,  4G046CC09 ,  4G046CC10