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J-GLOBAL ID：200903024699912770

パターン化された導電膜の形成方法

Inventor： 吉川 逸治 ,  石川 真章
Applicant, Patent owner： 住友大阪セメント株式会社
Agent (1)： 土橋 皓
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998198595
Publication number (International publication number)：2000030551
Application date： Jul. 14, 1998
Publication date： Jan. 28, 2000
Summary：

【要約】【課題】 安全で低コスト、高導電性、かつラインの切れが良く、設計値どおりまたは設計値と略同等の微細で精緻なパターンを形成することができるパターン化された導電膜の形成方法を提供することを課題とする。【解決手段】 加熱により焼失する樹脂を含む塗布液を基板上に塗布し乾燥するとともにパターン化する工程と、このパターン化された樹脂乾燥膜の各ライン間に、導電性成分と溶媒とからなり前記樹脂乾燥膜と相溶性がなくかつ撥液性を有する導電膜形成用塗布液を塗布し乾燥する工程と、加熱して前記樹脂乾燥膜を焼失させるとともにパターン化された導電膜を形成させる工程とを含むように構成する。

Claim (excerpt)：

加熱により焼失する放射線感応型樹脂を含む塗布液を基板上に塗布し乾燥して樹脂乾燥膜を形成する工程と、この樹脂乾燥膜上にフォトマスクを設置し、放射線を照射し現像して、前記樹脂乾燥膜をパターン化する工程と、このパターン化された樹脂乾燥膜の各ライン間に、導電性成分と溶媒とからなり前記樹脂乾燥膜と相溶性がなくかつ撥液性を有する導電膜形成用塗布液を、塗布後の厚みが前記樹脂乾燥膜の膜厚と同等またはそれ以下となるように塗布し乾燥して、導電膜形成用乾燥膜を形成する工程と、前記基板に形成された前記樹脂乾燥膜と前記導電膜形成用乾燥膜とを加熱して、前記樹脂乾燥膜を焼失させるとともにパターン化された導電膜を形成させる工程と、を少なくとも含むことを特徴とするパターン化された導電膜の形成方法。

IPC (4)：

H01B 13/00 503 ,  B05D 5/12 ,  C01G 15/00 ,  C01G 19/00

FI (4)：

H01B 13/00 503 D ,  B05D 5/12 B ,  C01G 15/00 ,  C01G 19/00

F-Term (9)：

4D075AC45 ,  4D075BB28Z ,  4D075BB40Z ,  4D075BB46Z ,  4D075CA22 ,  4D075DA06 ,  4D075DC19 ,  4D075EA05 ,  5G323CA02