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J-GLOBAL ID：200903024702587818

多結晶シリコン薄膜の製造方法

Inventor： 樽井 久樹 ,  丸山 英治
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 西野 卓嗣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992070991
Publication number (International publication number)：1993275333
Application date： Mar. 27, 1992
Publication date： Oct. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】 高品質な多結晶シリコン薄膜を形成することにある。【構成】 支持基板(1)上に点在するように形成された第1の非晶質シリコン膜(2)にレーザ光を照射することによってこの膜を単結晶シリコン領域(2a)とし、次にこの単結晶シリコン領域(2a)を覆うように第2の非晶質シリコン膜(4)を被着形成した後熱処理を施し多結晶化させる。

Claim (excerpt)：

支持基板上に第1の非晶質シリコン膜を形成する工程と、前記第1の非晶質シリコン膜を前記支持基板上に点在するようにパターニングする工程と、前記第1の非晶質シリコン膜にエネルギービームを照射することにより単結晶シリコン領域とする工程と、点在する前記単結晶シリコン領域を覆うように第2の非晶質シリコン膜を被着形成する工程と、該第2の非晶質シリコン膜を熱処理することにより多結晶化させる工程と、からなることを特徴とする多結晶シリコン薄膜の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭59-148322
  
• 特開平1-187874
  
• 特開平3-095922
  
• 特開平4-006822