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J-GLOBAL ID：200903024720677123

可視光半導体発光装置とその製造方法

Inventor： 浜田 弘喜 ,  本多 正治 ,  庄野 昌幸 ,  山口 隆夫
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 岡田 敬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995337187
Publication number (International publication number)：1996228041
Application date： Mar. 31, 1989
Publication date： Sep. 03, 1996
Summary：

【要約】【課題】 製造歩留りが高く、且つ寿命が長いAlGaInP系の可視光半導体発光装置とその製造方法を提供することが目的である。【解決手段】 (100)面から[011]方向に5°以上傾斜した面を主面1aとするGaAs基板1と、この主面1a上に形成されたバッファ層2と、このバッファ層2上に形成されたAl、Ga、In、及びPからなる活性層4を含むAlGaInP系半導体層と、を備えた。

Claim (excerpt)：

(100)面から[011]方向に5°以上の角度で傾斜した面を主面とするGaAs基板と、該主面上に形成されたバッファ層と、該バッファ層上に形成されたAl、Ga、In、及びPからなる活性層を含むAlGaInP系半導体層と、を備え、前記角度は、前記バッファ層のヒロックが100個/cm2以下となるように設定したことを特徴とする可視光半導体発光装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平2-260682
  
• 特開平1-128423