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J-GLOBAL ID：200903024747270670

ボールグリッドアレイ半導体装置およびその製造方法

Inventor： 中島 宏文
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 尾身 祐助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994134885
Publication number (International publication number)：1995321248
Application date： May. 26, 1994
Publication date： Dec. 08, 1995
Summary：

【要約】【目的】 チップキャリア(TABテープ)と封止樹脂との密着性を向上させ実装時の基板の剥離を防止する。電極間ピッチのより短い半導体素子をパッケージングできるようにする。【構成】 ポリイミドからなる樹脂基板21上に、内部リード22a、外部リード22bを有するリード22を設けてなるチップキャリア2に、半導体素子1をボンディングする。半導体素子1およびチップキャリア2の内部リード部を完全に内包する第1のモールド樹脂3aを形成する。チップキャリア2の上面を覆い、第1のモールド樹脂3aのチップキャリア2より上の部分を被覆する第2のモールド樹脂3bを形成する。外部リード22b上に半田バンプ5を形成する。

Claim (excerpt)：

樹脂基板上に内部リード部と外部リード部とを備えるリードが複数個形成されてなるチップキャリアと、電極端子が前記チップキャリアの内部リード部に接続されている半導体素子と、前記半導体素子および前記チップキャリアの前記内部リード部を内包して形成された第1のモールド樹脂層と、前記チップキャリアの上面を覆い、前記第1のモールド樹脂層の前記チップキャリアより上の部分の周囲覆うように形成された第2のモールド樹脂層と、前記チップキャリアの前記外部リード部の下面に形成された金属バンプと、を有することを特徴とするボールグリッドアレイ半導体装置。

IPC (3)：

H01L 23/12 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (2)：

H01L 23/12 L ,  H01L 23/30 B