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J-GLOBAL ID:200903024751259613
低誘電率セラミツクス回路基板の製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
青木 朗 (外4名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1990404218
Publication number (International publication number):1993055405
Application date: Dec. 20, 1990
Publication date: Mar. 05, 1993
Summary:
【要約】【目的】半導体装置の高密度実装に適しかつ信号の高速伝播に適した低誘電率セラミックス回路基板の製造方法に関し、中空ないし多孔質のセラミックス粒を含むセラミックス粉体を利用して誘電率を低くし、一方、基板側面に多孔質切断面が現れないようにする。【構成】(ア)中空セラミックス粒を含有する第1スラリー1および中空でないセラミックス粉体を含有する第2スラリー2を別々に用意する;(イ)第1スラリーを中央部に、第2スラリーを両端部に同時に流して複合グリーンシート6を形成する;(ウ)複合グリーンシートの長手方向の切断長を中央部の幅に合わせて所定サイズのグリーンシート片6A、6Bに打抜く;(オ)グリーンシート片をその両端部が連続して重ならないように交互積層する;(カ)外形切断する;および(キ)焼成して多層回路基板21とする。
Claim (excerpt):
下記工程(ア)〜(キ):(ア)中空ないし多孔質のセラミックス粒を含むセラミックス粉体と、樹脂バインダーと、溶剤とからなる第1スラリー(1)、および中空ないし多孔質のセラミックス粒を含まないセラミックス粉体と、樹脂バインダーと、溶剤とからなる第2スラリー(2)を別々に用意する工程;(イ)前記第1スラリー(1)を中央部に、前記第2スラリー(2)を両端部に同時に流して一枚の複合グリーンシート(6)を形成する工程;(ウ)前記複合グリーンシートの長手方向の切断長を前記中央部の幅に合わせて該複合グリーンシートを所定サイズに打抜く工程;(エ)前記打ち抜きグリーンシート片(6A、6B)に配線層を形成する工程;(オ)前記配線層付きグリーンシート片(6A、6B)をその両端部が連続して重ならないように交互積層する工程;(カ)積層したグリーンシート片(6A、6B)を前記中央部のサイズよりも大きいサイズに外形切断する工程;および(キ)外形切断した積層体を焼成する工程;を含んでなる低誘電率セラミックス回路基板の製造方法。
IPC (3):
H01L 23/15
, H01L 23/13
, H05K 3/46
FI (2):
H01L 23/14 C
, H01L 23/12 C
Patent cited by the Patent:
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