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J-GLOBAL ID：200903024753166400

マスク、マスク修正装置及びマスク修正方法

Inventor： 小笠原 宗博 ,  駒野 治樹 ,  小川 洋司 ,  奥村 勝弥 ,  増田 聡
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 則近 憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992130304
Publication number (International publication number)：1993323578
Application date： May. 22, 1992
Publication date： Dec. 07, 1993
Summary：

【要約】【目的】 FIB欠陥修正による基板の透過率の低下を防ぐ。【構成】 フォトマスクの基板上層にエネルギーイオンを光透過率の変化が生じなくなるまで照射することにより半透明層を形成する。マスクの欠陥修正の際にFIBをマスクの法線方向より25度以上傾けて照射する。【効果】 マスク基板上のFIB照射部分の透過率低下を防ぐことができる。

Claim (excerpt)：

透明基板と、透明基板の光透過率の減少がほぼなくなるまで透明基板にイオンを照射することにより形成された所望の厚さの半透明層と、この半透明層の上所定位置に設けられた遮光膜とを備えたことを特徴とするマスク。

IPC (2)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (2)：

H01L 21/30 301 P ,  H01L 21/30 301 W