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J-GLOBAL ID：200903024754467888

半導体素子・集積回路装置

Inventor： 横塚 俊亮
Applicant, Patent owner： 旭硝子株式会社
Agent (1)： 泉名 謙治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994044101
Publication number (International publication number)：1995254593
Application date： Mar. 15, 1994
Publication date： Oct. 03, 1995
Summary：

【要約】【目的】低誘電率、低吸水率、低水蒸気透過性、および下地の凹凸に対する優れた埋め込み平坦性を併せ持った表面保護膜を形成することによって、優れた電気的特性、信頼性を持つ半導体素子・集積回路装置を得ることを目的とする。【構成】半導体素子上に表面保護膜として、フッ素樹脂の薄膜を介して無機膜が形成されてなる半導体素子・集積回路装置。

Claim (excerpt)：

半導体素子上に表面保護膜として、フッ素樹脂の薄膜を介して無機膜が形成されてなる半導体素子・集積回路装置。

IPC (4)：

H01L 21/312 ,  H01L 21/314 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-026029
  
• 特開平3-034558
  
• 特開平3-068140