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J-GLOBAL ID：200903024775117445

ダイヤモンド半導体デバイス及びその製造方法

Inventor： 安藤 寿浩 ,  蒲生 美香 ,  坂口 勲 ,  佐藤 洋一郎 ,  野洲 栄治
Applicant, Patent owner： 科学技術振興事業団 ,  科学技術庁無機材質研究所長
Agent (1)： 平山 一幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999174722
Publication number (International publication number)：2001007348
Application date： Jun. 21, 1999
Publication date： Jan. 12, 2001
Summary：

【要約】【課題】 高温であっても整流可能なpn接合を形成したダイヤモンド半導体デバイス及びその製造方法を提供する。【解決手段】 ホウ素ドープした高圧合成ダイヤモンド又は天然のIIb型ダイヤモンドから形成されたp型ダイヤモンド半導体結晶2上に、例えばプラズマCVD法によってドナー原子となるイオウをドープしたn型ダイヤモンド半導体結晶層4を成長させてpn接合6を形成したものである。このpn接合は500°Cという高温下でも良好な整流作用を示す。

Claim (excerpt)：

p型ダイヤモンド半導体とドナー原子がイオウであるn型ダイヤモンド半導体とが原子オーダーの急峻さでpn接合した構造を備えるダイヤモンド半導体デバイス。

IPC (5)：

H01L 29/861 ,  C30B 29/04 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/337 ,  H01L 29/808

FI (4)：

H01L 29/91 F ,  C30B 29/04 R ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/80 C

F-Term (29)：

4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077BA03 ,  4G077DB07 ,  4G077DB19 ,  4G077EA06 ,  4G077EB01 ,  4G077EB04 ,  4G077EB05 ,  4G077EC10 ,  4G077EJ01 ,  4G077EJ04 ,  4G077HA06 ,  5F045AA09 ,  5F045AA15 ,  5F045AB07 ,  5F045AC01 ,  5F045AC19 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD18 ,  5F045AE23 ,  5F045AE27 ,  5F045AF02 ,  5F045AF13 ,  5F045BB05 ,  5F045DA60

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭63-302516
  
• ダイヤモンド半導体デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-226235   Applicant：住友電気工業株式会社
• 半導体ダイヤモンド及びその形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-214192   Applicant：住友電気工業株式会社
• リンドープダイヤモンドの合成法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-252376   Applicant：科学技術庁無機材質研究所長