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J-GLOBAL ID：200903024800657859

半導体レーザ装置

Inventor： 穴山 親志
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993297128
Publication number (International publication number)：1995154023
Application date： Nov. 29, 1993
Publication date： Jun. 16, 1995
Summary：

【要約】【目的】 本発明は光通信用の半導体レーザ装置に関し、民生用の光通信光源としての半導体レーザ素子を提案する。【構成】 半導体レーザ1の基板2がGaAs、且つ、活性層3がGaInAsNにて構成される。

Claim (excerpt)：

基板(2) がGaAsであり、且つ活性層(3) がGaInAsNにて構成されてなることを特徴とする半導体レーザ装置。