半導体三端子装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：伊東忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000095895
Publication number (International publication number)：2001284578
Application date： Mar. 30, 2000
Publication date： Oct. 12, 2001
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】化合物半導体三端子装置におけるゲート電極からの金層元素が半導体層及びチャネル層中に拡散してしきい値を変動させることを抑制する。【解決手段】電子供給層23上にゲート電極25に対応する開口部24Aを含むキャップ層24形成し、これを覆ったキャリヤがトンネル可能な薄さのTiO2等の金属酸化膜29を形成し、これを絶縁とゲート電極金層の拡散防止の薄膜として、この上にゲート電極25C及びオーミック電極26C、27CからのAu原子の拡散抑制のためのPt層25B、26B、27B、更に金属酸化膜29との密着性を確保するためのTi層25A、26A、27AをTi層、Pt層、Au電極の順に積層形成する。

Claim (excerpt)：

チャネル層を含む半導体層と、前記チャネル層中にキャリアを供給する第1のオーミック電極と、前記チャネル層からキャリアを回収する第2のオーミック電極と、前記チャネル層中を、前記第1のオーミック電極から前記第2のオーミック電極に流れるキャリアを制御するゲート電極とを備えた半導体三端子装置であって、前記ゲート電極は、前記半導体層表面との界面に形成された絶縁性の金属酸化膜を含むことを特徴とする半導体三端子装置。

IPC (6)：

H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 21/28 301 , H01L 21/283 , H01L 29/201

FI (5)：

H01L 21/28 301 R , H01L 21/283 E , H01L 21/283 L , H01L 29/80 H , H01L 29/203

F-Term (52)：

4M104AA04 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB07 , 4M104BB11 , 4M104BB14 , 4M104BB17 , 4M104BB28 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104DD04 , 4M104DD06 , 4M104DD15 , 4M104DD34 , 4M104DD68 , 4M104DD78 , 4M104DD82 , 4M104DD86 , 4M104DD90 , 4M104EE02 , 4M104EE06 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104FF07 , 4M104FF17 , 4M104GG12 , 4M104GG20 , 4M104HH04 , 4M104HH08 , 4M104HH16 , 5F102FA00 , 5F102FA05 , 5F102FB05 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GD10 , 5F102GJ06 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GM08 , 5F102GN04 , 5F102GQ01 , 5F102GR04 , 5F102GS02 , 5F102GS04 , 5F102GT01 , 5F102GT03 , 5F102GT10 , 5F102HC10 , 5F102HC11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-288056 Applicant：日本電気株式会社
特開平4-069974
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-005869 Applicant：株式会社村田製作所

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