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J-GLOBAL ID:200903024814489150
磁気センサおよびその製造方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
滝本 智之 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997010855
Publication number (International publication number):1998209522
Application date: Jan. 24, 1997
Publication date: Aug. 07, 1998
Summary:
【要約】【課題】 磁界の変化を電気信号に変換する磁気センサにおいて、パターン表面と被検出体とを平行に配置することができる磁気センサおよびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 上面に強磁性体からなるパターン23を有しかつパターン23と電気的に接続するように角部に電極層24を有する方形の基板21を備えた素子27と、素子27の下面に電極層24と電気的に接続されたリード端子28と、リード端子28の下面に設けられた磁石29とを、パターン23の第2の保護層26の上面とリード端子28の引出部31とを除いて成形樹脂30で覆う構成により、パターン23の表面と被検出体とを平行に配置することができる磁気センサを提供することができる。
Claim (excerpt):
少なくとも上面に第1、第2の保護層に覆われてなる強磁性体からなるパターンを有しかつ前記パターンと電気的に接続するように設けられた少なくとも3箇所の角部に電極層を有する方形の基板を備えた素子と、前記素子の下面に前記電極層と電気的に接続するように設けられたリード端子と、前記リード端子の下面に設けられた磁石と、前記素子の前記第2の保護層の上面と前記リード端子の一部である引出部とを除いて前記素子、リード端子および磁石を覆うように設けられた成形樹脂とからなる磁気センサ。
IPC (3):
H01L 43/08
, G01R 33/02
, H01L 43/12
FI (3):
H01L 43/08 M
, G01R 33/02 B
, H01L 43/12
Patent cited by the Patent:
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