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J-GLOBAL ID：200903024826202400

半導体装置の製造方法

Inventor： 小野 敏明
Applicant, Patent owner： 株式会社トーキン
Agent (1)： 後藤 洋介 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996198937
Publication number (International publication number)：1998051010
Application date： Jul. 29, 1996
Publication date： Feb. 20, 1998
Summary：

【要約】【課題】 従来の設計手法における抵抗と耐圧のトレードオフの関係を打ち破り、高耐圧かつ低抵抗の半導体装置を提供することである。【解決手段】 N型のシリコン基板低濃度層1を全面熱酸化した後、通常のフォトリソグラフィー手法により表面の一部を開孔し、N型でより高不純物濃度の拡散を施したN+ 拡散層4を作成し、N+ 拡散層4の表面全面にN型と同濃度のエピタキシャル成長層5を成長させた基板を出発ウェーハとして、該内部に埋め込まれた深い拡散領域に対抗する主表面に素子を形成する。

Claim (excerpt)：

第1の導電型のシリコン基板を全面熱酸化した後、通常のフォトリソグラフィー手法により表面の一部を開孔し、前記第1の導電型と同一の導電型でより高不純物濃度の拡散を施した基板を作成し、高濃度の深い拡散を施した基板の表面全面に前記第1の導電型と同濃度のエピタキシャル層を成長させ、高濃度不純物層を埋め込んだ基板を出発ウェーハとして、該内部に埋め込まれた深い拡散領域に対抗する主表面に素子を形成するようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (7)：

H01L 29/80 ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/74 ,  H01L 21/332 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/329 ,  H01L 29/861

FI (7)：

H01L 29/80 V ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/74 M ,  H01L 29/74 301 ,  H01L 29/78 652 H ,  H01L 29/91 B ,  H01L 29/91 D