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J-GLOBAL ID：200903024827451020

半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法

Inventor： 高木 幹夫
Applicant, Patent owner： 株式会社エフティーエル
Agent (1)： 村井 卓雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993083464
Publication number (International publication number)：1994295915
Application date： Apr. 09, 1993
Publication date： Oct. 21, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置の製造においてRTP(rapid thermal processing)を行うに際して、装置の長さを短くして急速加熱を行い、またウェーハにスリップラインを発生させない。【構成】 相互の間隔を調整可能な上部高温炉1と下部低温炉14を設け、上部高温炉1の下端の開放部に開閉自在なシャッター6を配置し、プロセスチューブ10内をウェーハ18を昇降させる。

Claim (excerpt)：

相互の間隔を調整可能な上部高温炉と下部低温炉、下部低温炉を貫通するプロセスチューブ、このプロセスチューブの内部にウェーハを昇降させるウェーハ支持部材、及び上部高温炉の下端の開放部に配置された開閉自在なシャッターを含んでなることを特徴とする半導体装置の製造装置。