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J-GLOBAL ID：200903024830031768

半導体レーザ装置

Inventor： 奥村 敏之 ,  厚主 文弘 ,  森岡 達也 ,  松本 成人
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社 ,  古河電気工業株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992095579
Publication number (International publication number)：1993291689
Application date： Apr. 15, 1992
Publication date： Nov. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 高温下におけるキャリアのオーバーフローを低減し、光出力が十分に得られ、かつ遠視野像が真円に近似した半導体レーザ装置を提供する。【構成】 量子井戸構造の半導体レーザ装置において、量子井戸層3の層数(量子井戸数)が多くなるほど光の閉じ込め係数が大きくなるため、利得が大きくなる。しかし、量子井戸数が適当数以上となると遠視野像の量子井戸層3と垂直な方向の広がり角が大きくなる。よって、量子井戸数を6以上10以下にしている。また、共振器長Lcは、半導体レーザ装置の発熱量を抑える必要があるとともに、閾値電流密度を低減すべく250μm以上700μm以下としている。

Claim (excerpt)：

化合物半導体量子井戸構造の半導体レーザ装置において、量子井戸構造を構成する量子井戸層の層数が6以上10以下であり、かつ共振器長が250μm以上700μm以下であることを特徴とする半導体レーザ装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平3-266489
  
• 特開平3-058490