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J-GLOBAL ID：200903024833507097

露光方法及び半導体デバイスの製造方法

Inventor： 佐伯 優
Applicant, Patent owner： 株式会社ニコン
Agent (1)： 宮川 貞二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997214136
Publication number (International publication number)：1999045851
Application date： Jul. 24, 1997
Publication date： Feb. 16, 1999
Summary：

【要約】【課題】 レチクルパターンが設計データから直接描画できるとともに、計測されたひずみ量によってレチクルパターンを補正して露光する露光方法であり、その露光方法による半導体デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】 記憶されている設計データに基づいてレチクルパターンを表示する表示手段に露光光を照射して、感応基板にパターンを形成する露光方法であり、感応基板に形成されるパターンのひずみを測定する測定工程と、測定したひずみに基づいて、表示手段に表示されるべき設計データに前記ひずみに対応する補正を加えてレチクルパターンを表示する表示工程と、前記補正が加えられたレチクルパターンを照射して、前記感応基板にパターンを焼き付ける露光工程とによる露光方法。アライメント機構によって計測したひずみ量によって、パターンの設計データを補正してレチクルパターンを表示することで、レチクルパターンを機構的に補正することなく、位置合わせができる。

Claim (excerpt)：

記憶されている設計データに基づいてレチクルパターンを表示する表示手段に露光光を照射することにより、感応基板にパターンを形成する露光方法において、前記感応基板に形成されるパターンのひずみを測定する測定工程と、前記測定したひずみに基づいて、前記表示手段に表示されるべき設計データに前記ひずみに対応する補正を加えてレチクルパターンを表示する表示工程と、前記補正が加えられたレチクルパターンを照射して、前記感応基板にパターンを形成する露光工程とを備えたことを特徴とする露光方法。

IPC (2)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 504

FI (6)：

H01L 21/30 516 A ,  G03F 7/20 504 ,  H01L 21/30 502 V ,  H01L 21/30 502 W ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 525 E