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J-GLOBAL ID：200903024853278698

ハイブリッドIC

Inventor： 中塚 忠良 ,  伊藤 順治 ,  山本 真司 ,  西辻 充
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995104398
Publication number (International publication number)：1996032018
Application date： Apr. 27, 1995
Publication date： Feb. 02, 1996
Summary：

【要約】【構成】 セラミック基板122上には金属薄膜の一層配線によりスパイラル型インダクタ102〜107が形成されており、それぞれスルーホール114〜119により裏面の配線に接続されている。半導体チップ101は、表面を下にして基板上にフリップチップ実装されている。半導体チップ101表面には、高誘電率材料を用いた容量素子、及びイオン注入法もしくは薄膜を用いた抵抗素子、電界効果トランジスタが形成されている。基板と外部基板との接続は、基板の端面に対して凹型に形成された端子108〜113により行われる。【効果】 上記の構成により、パッケージが不要になると同時に、高周波ハイブリッドICの小型化、高性能化、低コスト化が実現される。

Claim (excerpt)：

基板と、該基板上に形成された少なくとも一つのインダクタと、該基板上にフリップチップ方式により配置された半導体チップと、該基板の外周の所定の位置に形成された少なくとも一つの端子と、を備えたハイブリッドICであって、該半導体チップはその内部に複数の回路素子を備えており、該回路素子のうちの少なくとも一つは、金属-絶縁膜-金属(MIM)構成を有していて該絶縁膜が高誘電体材料から形成されているMIMキャパシタであるハイブリッドIC。