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J-GLOBAL ID:200903024853278698
ハイブリッドIC
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
山本 秀策
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995104398
Publication number (International publication number):1996032018
Application date: Apr. 27, 1995
Publication date: Feb. 02, 1996
Summary:
【要約】【構成】 セラミック基板122上には金属薄膜の一層配線によりスパイラル型インダクタ102〜107が形成されており、それぞれスルーホール114〜119により裏面の配線に接続されている。半導体チップ101は、表面を下にして基板上にフリップチップ実装されている。半導体チップ101表面には、高誘電率材料を用いた容量素子、及びイオン注入法もしくは薄膜を用いた抵抗素子、電界効果トランジスタが形成されている。基板と外部基板との接続は、基板の端面に対して凹型に形成された端子108〜113により行われる。【効果】 上記の構成により、パッケージが不要になると同時に、高周波ハイブリッドICの小型化、高性能化、低コスト化が実現される。
Claim (excerpt):
基板と、該基板上に形成された少なくとも一つのインダクタと、該基板上にフリップチップ方式により配置された半導体チップと、該基板の外周の所定の位置に形成された少なくとも一つの端子と、を備えたハイブリッドICであって、該半導体チップはその内部に複数の回路素子を備えており、該回路素子のうちの少なくとも一つは、金属-絶縁膜-金属(MIM)構成を有していて該絶縁膜が高誘電体材料から形成されているMIMキャパシタであるハイブリッドIC。
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