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J-GLOBAL ID：200903024854390831

レジストの除去方法

Inventor： 門村 新吾
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 志賀 富士弥 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992284091
Publication number (International publication number)：1994132259
Application date： Oct. 22, 1992
Publication date： May. 13, 1994
Summary：

【要約】【目的】 アッシング後に残渣の生じないレジストの除去方法を提供する。【構成】 シリコン基板上にレジストパターンを構成し、As+をイオン注入した後、μ波放電プラズマアッシャーでアッシングする際に還元性のガスであるCOを添加する。COにより、Asの酸化物は、還元されて基板上から除去される。このため、残渣の生じないレジスト除去が達成される。

Claim (excerpt)：

半導体基体上にレジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクとしてイオン注入を行い、その後レジストのプラズマアッシングを行うレジストの除去方法において、前記プラズマアッシングに用いるアッシングガスに還元性のガスを添加することを特徴とするレジストの除去方法。

IPC (2)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/027

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭63-216346
  
• 特開昭59-086224
  
• 特開平2-183524