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J-GLOBAL ID:200903024857857498

金属酸化物半導体膜の形成方法、有機色素増感型金属酸化物半導体電極及びこの半導体電極を有する太陽電池

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 江藤 聡明
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002116273
Publication number (International publication number):2003308893
Application date: Apr. 18, 2002
Publication date: Oct. 31, 2003
Summary:
【要約】【課題】 色素吸着性の向上した金属酸化物半導体膜を低温で簡易に得ることができる金属酸化物半導体膜の形成方法を提供することにある。を提供すること。【解決手段】 表面に透明電極を有する基板上に、金属酸化物微粒子がバインダに分散されてなる塗布液を塗布し、乾燥して金属酸化物含有塗布層を形成し、次いで該金属酸化物含有塗布膜をプラズマ処理してバインダを除去することにより表面積の大きな金属酸化物半導体膜を形成することを特徴とする金属酸化物半導体膜の形成方法、有機色素増感型金属酸化物半導体電極、及びこれを有する太陽電池。
Claim (excerpt):
表面に透明電極を有する基板上に、金属酸化物微粒子がバインダに分散されてなる塗布液を塗布し、乾燥して金属酸化物含有塗布層を形成し、次いで該金属酸化物含有塗布膜をプラズマ処理してバインダを除去することにより表面積の大きな金属酸化物半導体膜を形成することを特徴とする金属酸化物半導体膜の形成方法。
IPC (2):
H01M 14/00 ,  H01L 31/04
FI (2):
H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 Z
F-Term (19):
5F051AA07 ,  5F051AA14 ,  5F051BA14 ,  5F051CB11 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051GA03 ,  5H032AA06 ,  5H032AS06 ,  5H032AS16 ,  5H032BB00 ,  5H032BB05 ,  5H032BB06 ,  5H032CC16 ,  5H032EE02 ,  5H032EE07 ,  5H032EE12 ,  5H032EE16 ,  5H032HH04
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)

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