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J-GLOBAL ID：200903024876145130
半導体レーザ装置、その製造方法、および光情報処理装置
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高橋 明夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997226563
Publication number (International publication number)：1999068249
Application date： Aug. 22, 1997
Publication date： Mar. 09, 1999
Summary：
【要約】【課題】本発明は、共振器端面の破壊現象に制限されない高出力特性を安定に確保できる半導体レーザ素子を提供する。本発明は光情報処理或いは光通信システム用途に有用である。【解決手段】半導体レーザ装置の共振器の活性層領域端面近傍に対して、禁制帯幅が共振器中央部よりも大きく設定した窓構造を有する。発光活性層の水平方向から不純物拡散を行う。特に、活性層領域を含むストライプ構造の両側より拡散するのが有用である。
Claim (excerpt)：
半導体レーザの光共振器の少なくとも一方の出射端面に、当該共振器の内部より禁制体幅が大きい半導体領域を有し、前記禁制体幅がその共振器の内部より大きい前記半導体領域は前記光共振器を構成する少なくとも活性層領域の半導体母材に不純物を添加して所望の禁制体幅なる半導体領域であり、前記光共振器の光軸方向とは交差する方向より該活性層領域に沿って拡散させる不純物の拡散方向が、当該活性層領域を結晶成長する結晶面内における不純物拡散速度の大きい方向なることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2)：
FI (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
-
半導体レーザの製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平6-009027
Applicant：日本電気株式会社
Cited by examiner (1)
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半導体レーザの製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平6-009027
Applicant：日本電気株式会社
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