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J-GLOBAL ID：200903024876554218

プラズマエッチングの方法およびその装置

Inventor：
本間 孝治

About 本間 孝治


Applicant, Patent owner：
株式会社ケミトロニクス

About 株式会社ケミトロニクス


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998376454
Publication number (International publication number)：2000174004
Application date： Dec. 03, 1998
Publication date： Jun. 23, 2000
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 SOIウエーハの製造にはSi層を極めて薄く均一に高精度で、かつ無歪の加工仕上げをする要求があり、本発明では加工歪みの残らない高速ドライエッチング処理により極めて薄い均一な厚さと極めて小さい仕上がり表面荒さの得られる半導体ウエーハの加工方法と装置を提供する。【解決手段】 高周波の交流電磁場により生成した活性種ガスで気相化学反応によって半導体ウエーハの結晶をエッチングする方法を基本として、フッ素化合物ガスあるいはフッ素化合物ガスを含む混合ガスに、水素あるいはアンモニアガスの少なくも1種類のガスを混合して、これを反応ガスとして用いることによりエッチングの表面荒さが改善される。
Claim (excerpt)：
ガスプラズマ中で発生した活性種を試料の表面および裏面にあてて平坦化あるいは薄層化するプラズマエッチングの方法において、フッ素化合物ガスあるいはフッ素化合物ガスを含む混合ガスに、水素あるいはアンモニアガスの少なくも1種類のガスを混合して用いることを特徴としたプラズマエッチングの方法。
IPC (2)：
H01L 21/3065 ,  C23F 4/00
FI (2)：
H01L 21/302 L ,  C23F 4/00 E
F-Term (31)：
4K057DA02 ,  4K057DA04 ,  4K057DA20 ,  4K057DB20 ,  4K057DD03 ,  4K057DE06 ,  4K057DE08 ,  4K057DE14 ,  4K057DE20 ,  4K057DM02 ,  4K057DM29 ,  4K057DM40 ,  4K057DN01 ,  5F004AA00 ,  5F004AA01 ,  5F004AA06 ,  5F004AA08 ,  5F004BA03 ,  5F004BA04 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB18 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DB01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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