Pat

J-GLOBAL ID：200903024876975400

半導体レーザ及びその製造方法

Inventor： 関 章憲 ,  大西 豊和 ,  中野 次郎 ,  杉山 隆英 ,  冨田 一義 ,  加納 浩之
Applicant, Patent owner： トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社豊田中央研究所
Agent (1)： 岡田 英彦 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993258510
Publication number (International publication number)：1995115247
Application date： Oct. 15, 1993
Publication date： May. 02, 1995
Summary：

【要約】【目的】 半導体レーザの複数の半導体レーザチップを積層するために使用する半田層がレーザ光の障害にならないようにすること。【構成】 ?@半導体レーザチップ30、40の半田付けする面のレーザ光放出面35、45側端部であって活性層37、47以外の部分に半田溜まり用凹部38、48を形成したこと。?Aエピタキシャル基板の表面の前記各半導体レーザチップ用領域のレーザ光放出面形成用境界の活性層以外の部分にその底部がエピタキシャル基板表面と略平行な溝を形成する工程と、該溝に沿ってエピタキシャル基板を劈開することにより、この劈開面を光放出面とする各半導体レーザチップを形成する工程と、複数の半導体レーザチップを半田付けによって厚さ方向に積層する工程とを具備する半導体レーザの製造方法。

Claim (excerpt)：

複数の半導体レーザチップを半田付けによって厚さ方向に積層した半導体レーザにおいて、前記各半導体レーザチップの半田付けする面のレーザ光放出面側端部であって活性層以外の部分に半田溜まり用凹部を形成したことを特徴とする半導体レーザ。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01S 3/25

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭58-216485
  
• 半導体レーザ装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-019113   Applicant：三菱電機株式会社