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J-GLOBAL ID：200903024883760230

結晶欠陥の少ないシリコン単結晶の製造方法

Inventor： 飯野 栄一 ,  高野 清隆 ,  布施川 泉 ,  山岸 浩利 ,  桜田 昌弘
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 山本 亮一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994134274
Publication number (International publication number)：1996002993
Application date： Jun. 16, 1994
Publication date： Jan. 09, 1996
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 酸化膜耐圧の高い、チョクラルスキー法によるシリコン単結晶を高生産性で得る。【構成】 チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を製造する場合において、育成されるシリコン単結晶が結晶成長時にシリコンの融点から 1,200°Cまでの高温域を通過する時間が 200分以上となるようにし、 1,200°Cから 1,000°Cまでの低温域を通過する時間が 150分以下となるようにすることを特徴とする、シリコン単結晶の製造方法。

Claim (excerpt)：

チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を製造する場合において、育成されるシリコン単結晶が結晶成長時にシリコンの融点から 1,200°Cまでの高温域を通過する時間が 200分以上となるようにし、 1,200°Cから 1,000°Cまでの低温域を通過する時間が 150分以下となるようにすることを特徴とする、シリコン単結晶の製造方法。

IPC (4)：

C30B 15/00 ,  C30B 15/14 ,  C30B 29/06 502 ,  H01L 21/208