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J-GLOBAL ID：200903024898794808

表面処理装置並びにアーク放電による表面処理装置および方法

Inventor： 山本 浩 ,  北橋 正光 ,  徳永 裕之
Applicant, Patent owner： 株式会社小松製作所
Agent (1)： 木村 高久 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998045467
Publication number (International publication number)：1999241168
Application date： Feb. 26, 1998
Publication date： Sep. 07, 1999
Summary：

【要約】【課題】高速で、高品質の表面処理を行う。【解決手段】本発明では、原料ガス1がプラズマ化される位置(プラズマアークジェット流2)から基板3の表面3aまでの距離dが、当該原料ガス1がプラズマ状態から再結合する状態に移行しない距離dc以下に設定される。また、本発明では、トーチ4以外の場所に、当該トーチ4内の陰極6から所定距離A以上離間して、トーチ4内の陽極7とは異なる陽極10(別のトーチ8内の陽極10)が設けられる。そして、トーチ4内の陰極6と、トーチ4以外の場所に設けた陽極10との間で、アーク放電16 ́が発生され、トーチ4のノズル5から噴出されるプラズマ形成用のガス2により、所定の長さA以上のプラズマアークジェット流16が形成される。こうして形成された所定の長さA以上のプラズマアークジェット流16に、原料ガス1が供給されることで、原料ガス1がプラズマ化され、プラズマ化された原料ガス1 ́が、基板3に到達する。

Claim (excerpt)：

原料ガスをプラズマ化し、このプラズマ化した原料ガスを基板に噴出させることにより、当該基板を前記原料ガスにより表面処理する表面処理装置において、前記原料ガスがプラズマ化される位置から前記基板表面までの距離を、当該原料ガスがプラズマ状態から再結合する状態に移行しない距離に設定したことを特徴とする表面処理装置。

IPC (5)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/52 ,  C30B 25/14 ,  C30B 29/04

FI (5)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/44 C ,  C23C 16/52 ,  C30B 25/14 ,  C30B 29/04 C