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J-GLOBAL ID：200903024903543150

電界効果トランジスタ

Inventor： 岡本 康宏
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999145212
Publication number (International publication number)：2000332030
Application date： May. 25, 1999
Publication date： Nov. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】 くし形フィンガー電極構造の高出力電界効果トランジスタのソースインダクタンス低減ため、各ソース電極より直接裏面のPHSにバイアホールで接続するソース・アイランド・バイアホール構造が、従来構造ではソース電極直下全域に形成されているのでソース電極幅が大きくなり、チップの長手方向が大きくなる。【解決手段】 第1のソース電極11と第2のソース電極12とを交互に配置するとともに、バイアホール41が周期的に形成された第1のソース電極11の幅広部とバイアホール42が周期的に形成された第2のソース電極12の幅広部とを、互い違いになるように配置することにより、通常のソース・アイランド・バイアホール構造よりもソース電極配列ピッチを短くし、チップ長手方向の寸法を短縮できる。

Claim (excerpt)：

基板の一主表面部に形成された能動領域を選択的に被覆する長手方向が第1の方向であるフィンガ状ゲート電極、前記フィンガ状ゲート電極を挟んで前記能動領域をそれぞれ被覆するソース電極及びフィンガ状ドレイン電極の組が複数個並列に互いに隣接する前記ソース電極及びフィンガ状ドレイン電極を共有して配置され、前記各ソース電極は前記第1の方向に周期的に前記半導体基板を貫通するバイアホールが形成された幅広部を有し、更に隣り合う前記ソース電極の前記幅広部は前記第1の方向に直角な第2の方向に関して同一直線上に載らないように互い違いに配置されてなる単位セルを複数個有することを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (4)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 29/41

FI (4)：

H01L 29/80 L ,  H01L 21/88 J ,  H01L 29/44 F ,  H01L 29/80 U

F-Term (39)：

4M104AA04 ,  4M104AA05 ,  4M104BB05 ,  4M104BB09 ,  4M104BB28 ,  4M104CC01 ,  4M104FF06 ,  4M104FF40 ,  4M104GG12 ,  4M104GG18 ,  4M104HH14 ,  5F033GG02 ,  5F033HH07 ,  5F033HH13 ,  5F033JJ13 ,  5F033KK13 ,  5F033MM04 ,  5F033MM30 ,  5F033NN16 ,  5F033PP27 ,  5F033VV06 ,  5F033VV07 ,  5F033XX03 ,  5F033XX08 ,  5F102FA02 ,  5F102FA03 ,  5F102GA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GB02 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GJ06 ,  5F102GR13 ,  5F102GS09 ,  5F102GT05 ,  5F102GV03 ,  5F102HC11 ,  5F102HC30