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J-GLOBAL ID：200903024909741248

不揮発性メモリセル

Inventor： 師岡 久雄 ,  白川 幸彦
Applicant, Patent owner： ティーディーケイ株式会社
Agent (1)： 南條 眞一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992185112
Publication number (International publication number)：1994029464
Application date： Jul. 13, 1992
Publication date： Feb. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】 強誘電体薄膜の自発分極が安定でかつ歪みあるいはクラックが入ることがないな不揮発性メモリを得る。【構成】 トランジスタからなる能動部及び強誘電体薄膜を用いたキャパシタからなる記憶部から構成される不揮発性メモリセルの強誘電体薄膜を強誘電体優位配向薄膜とする。

Claim (excerpt)：

能動部及び記憶部から構成され、前記能動部はトランジスタからなり、前記記憶部は強誘電体薄膜を用いたキャパシタからなり、前記強誘電体薄膜が強誘電体優位配向薄膜であることを特徴とする不揮発性メモリセル。

IPC (2)：

H01L 27/04 ,  H01L 27/108