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J-GLOBAL ID：200903024910289324

半導体装置およびその製造方法および画像表示装置

Inventor： 三谷 昌弘 ,  福島 康守 ,  上田 徹
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000268588
Publication number (International publication number)：2002076361
Application date： Sep. 05, 2000
Publication date： Mar. 15, 2002
Summary：

【要約】【課題】 信頼性を向上できると共に、簡単な工程でゲート電極下に低濃度不純物領域を制御性よく形成できる半導体装置およびその製造方法および画像表示装置を提供する。【解決手段】 絶縁基板10の一面に設けられた半導体薄膜9上にゲート絶縁膜17を介して設けられたゲート電極18と、ゲート電極18の下側の半導体薄膜9の領域に設けられたチャネル領域13と、半導体薄膜9のチャネル領域13の両側に設けられたソース領域20,ドレイン領域19とを有するTFTを備える。上記ドレイン領域19は、サイドウォールなしにゲート電極18の端部(ドレイン側)直下の領域に設けられた低濃度不純物領域14Aとその低濃度不純物領域14Aの外側に設けられた高濃度不純物領域4Aとを有する。上記チャネル領域13とドレイン領域19との間の不純物濃度勾配が緩やかになり、ドレイン端の電界を緩和させてホットキャリアの発生を抑える。

Claim (excerpt)：

絶縁基板の一面に設けられた半導体薄膜上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、上記ゲート電極の下側の上記半導体薄膜の領域に設けられたチャネル領域と、上記半導体薄膜の上記チャネル領域の両側に設けられたソース領域,ドレイン領域とを有する薄膜トランジスタを備えた半導体装置であって、上記ソース領域,ドレイン領域のうちの少なくとも上記ドレイン領域は、サイドウォールなしに上記ゲート電極の両端部直下の領域に設けられた低濃度不純物領域と、その低濃度不純物領域に対して上記チャネル領域の反対側に設けられた高濃度不純物領域とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/1368

FI (3)：

H01L 29/78 616 A ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 616 L

F-Term (48)：

2H092JA25 ,  2H092JA36 ,  2H092JA40 ,  2H092JA44 ,  2H092JB57 ,  2H092KA03 ,  2H092KA04 ,  2H092KA07 ,  2H092KA10 ,  2H092MA07 ,  2H092MA26 ,  2H092MA27 ,  2H092MA41 ,  2H092NA11 ,  2H092NA27 ,  5F110AA13 ,  5F110AA14 ,  5F110AA16 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE32 ,  5F110FF02 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ23 ,  5F110HM12 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN35 ,  5F110NN40 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110QQ11