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J-GLOBAL ID：200903024913072580

半導体装置の製造方法

Inventor：
角 博文

About 角 博文


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998117974
Publication number (International publication number)：1999312803
Application date： Apr. 28, 1998
Publication date： Nov. 09, 1999
Summary：
【要約】【課題】 ゲート電極の表面層にシート抵抗の低いシリサイド層を形成することができる半導体装置の製造方法を提要する。【解決手段】 半導体基板1上にゲート絶縁膜3を介して多結晶シリコン膜4を形成する。多結晶シリコン膜4にホウ素イオンを導入する。多結晶シリコン膜4及びゲート絶縁膜3をパターニングしてゲート電極4a,4bを形成する。ゲート電極4aにn型の不純物イオンを導入し、ゲート電極4aをn型にする。ゲート電極4a,4bの側壁にサイドウォールを形成した後、ゲート電極4a,4bの表面を薬液処理することによって、ゲート電極4a,4bの表面の自然酸化膜を除去する。ゲート電極4aを覆う状態で半導体基板1上に金属膜を形成した後、金属膜とゲート電極4a,4bとを反応させてゲート電極4a,4bの表面層にシリサイド層10を形成する。
Claim (excerpt)：
半導体基板上にゲート絶縁膜を形成し、当該ゲート絶縁膜上に多結晶シリコン膜を形成する第1工程と、前記多結晶シリコン膜にホウ素イオンまたはホウ素を含有する化合物イオンを導入する第2工程と、前記多結晶シリコン膜及び前記ゲート絶縁膜をパターニングしてゲート電極を形成する第3工程と、前記ゲート電極にn型の不純物イオンを導入し、当該ゲート電極をn型にする第4工程と、前記ゲート電極の側壁にサイドウォールを形成する第5工程と、前記ゲート電極の表面を薬液処理することによって、当該ゲート電極の表面の自然酸化膜を除去する第6工程と、前記ゲート電極を覆う状態で前記半導体基板上に金属膜を形成した後、当該金属膜と前記ゲート電極とを反応させて当該ゲート電極の表面層にシリサイド層を形成する第7工程と、を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092
FI (5)：
H01L 29/78 301 G ,  H01L 21/28 301 T ,  H01L 21/90 C ,  H01L 27/08 321 D ,  H01L 27/08 321 E
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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