Pat
J-GLOBAL ID：200903024914479349
半導体発光素子
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994338546
Publication number (International publication number)：1996186288
Application date： Dec. 27, 1994
Publication date： Jul. 16, 1996
Summary：
【要約】【目的】 熱抵抗及び素子抵抗が低く発光効率の高い半導体発光素子を提供する。【構成】 基板上に液相法などで低キャリア濃度層8、p型クラッド層9、p型活性層6、n型クラッド層2を成長させる。n型クラッド層2表面に絶縁膜を形成し、p型電極4を形成する部分の絶縁膜をエッチングで除去し、少なくとも活性層6に達するまでZn拡散を行いp型拡散層5を形成する。基板を選択的に除去し、更に絶縁膜を除去した後、n型クラッド層2にn型電極3を、p型拡散層5にp型電極4を形成する。n型電極3及びp型電極4の形状は、櫛形で、その櫛の歯3a,4aを交互に形成し、n型電極3の櫛の歯3a上面のみ絶縁膜7で覆う。この半導体発光素子1はリードフレーム等にジャンクションダウンマウントされる。
Claim (excerpt)：
第一の導電型の半導体層上に形成された、前記第一の導電型とは逆の第二の導電型の半導体層と、前記第一の導電型の半導体層表面に形成された第一の導電型の電極及び第二の導電型の電極とを有し、前記第二の導電型の半導体層側から光を出力する半導体発光素子において、前記第一の導電型の電極及び第二の導電型の電極は、夫々複数の隙間部を有し、一方の電極の隙間部に他方の電極が、他方の電極の隙間部に一方の電極が接触することなく形成されており、前記第二の導電型の電極上に、前記第一の導電型の半導体層表面から前記第二の導電型の半導体層に達するまで形成された前記第二の導電型の不純物拡散領域を有することを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2)：
Return to Previous Page
