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J-GLOBAL ID：200903024930361935

半導体パワー素子用放熱基板とその導体板及びヒートシンク材並びにロー材

Inventor： 鈴木 清光 ,  近藤 保夫 ,  阿部 輝宜 ,  渡部 典行 ,  鈴村 隆志 ,  中川 和彦
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立電線株式会社
Agent (1)： 高田 幸彦 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001033342
Publication number (International publication number)：2002203932
Application date： Feb. 09, 2001
Publication date： Jul. 19, 2002
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】接合部にボイドがなく高い接合強度を有し、また厚手の脆いAl/Cu金属間化合物を形成しない高信頼度で、しかも製造方法の容易な半導体パワー素子用放熱基板、その導体板及びヒートシンク並びにそれを用いたパワーモヂュール及び複合板の提供。【解決手段】導体板6、セラミックス板3及びヒートシンク板1よりなる積層体がクラッド型のアルミ合金系ロー材9,10で接合された構造体よりなり、前記導体板6とセラミックス及びセラミックス板3とヒートシンク板1とが数十MPa以上の接合強度を有すること、前記ロー材中のアルミへの拡散を防止又は抑制する拡散抑制部材を設けたこと、アルミ又はアルミ合金の芯材にアルミ合金系ロー材を有する複合ロー材、及び低融点アルミ合金系ロー材のいずれかまたはこれらの組み合せによって接合されている半導体パワー素子用放熱基板とその導体板及びヒートシンク板並びにそれを用いたパワーモジュール及び複合板。

Claim (excerpt)：

導体板、セラミックス板及び第1のヒートシンク板、又は導体板、セラミックス板、第1のヒートシンク板及び第2のヒートシンク板が順次積層された半導体パワー素子用放熱基板において、前記導体板と前記セラミックス板、前記セラミックス板と第1のヒートシンク板及び前記第1のヒートシンク板と第2のヒートシンク板との少なくとも1つがアルミ合金系ロー材で接合され、その接合強度が10MPa以上であることを特徴とする半導体パワー素子用放熱基板。

IPC (3)：

H01L 23/40 ,  H01L 23/36 ,  H01L 23/373

FI (3)：

H01L 23/40 F ,  H01L 23/36 B ,  H01L 23/36 M

F-Term (6)：

5F036BB03 ,  5F036BB08 ,  5F036BC06 ,  5F036BD01 ,  5F036BD03 ,  5F036BD13