Pat

J-GLOBAL ID：200903024932025460

半導体発光素子、半導体レーザ素子および半導体発光素子の製造方法

Inventor： 古賀 和幸
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 福島 祥人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996117965
Publication number (International publication number)：1998022526
Application date： May. 13, 1996
Publication date： Jan. 23, 1998
Summary：

【要約】【課題】 へき開により作製可能な共振器面を有する窒化物系半導体発光素子を提供することである。【解決手段】 {0001}の結晶成長面を有するn型6H-SiC基板1上に、AlNバッファ層2、n型GaN層3、n型Al1-X GaX Nクラッド層4、In1-Y GaY N活性層5およびp型Al1-X GaX Nクラッド層6、p型GaN層7を順に形成する。p型GaN層7の上面にp電極9を形成し、n型6H-SiC基板1の下面にn電極10を形成した後、n型6H-SiC基板1を{11-20}面に沿ってへき開することにより共振器面を形成する。

Claim (excerpt)：

炭化ケイ素基板上に、ガリウム、アルミニウムおよびインジウムの少なくとも1つを含む窒化物系半導体からなるエピタキシャル成長層を形成し、前記炭化ケイ素基板および前記エピタキシャル成長層の(11-20)面または前記(11-20)面と等価な面で一対の端面または一対の側面を形成することを特徴とする半導体発光素子

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (2)：

H01L 33/00 C ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭59-232475
  
• 特開昭60-163491