Pat
J-GLOBAL ID:200903024942483475
半導体基板の作製方法および半導体基板および半導体発光素子
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
樺山 亨 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000067498
Publication number (International publication number):2001257432
Application date: Mar. 10, 2000
Publication date: Sep. 21, 2001
Summary:
【要約】【課題】クラックが無い高品質で大面積のIII族窒化物半導体基板を作製する方法を実現する。【解決手段】本発明の半導体基板の作製方法においては、(a) 少なくとも表面がIII-V族化合物である第一の基板100を窒化し、このIII-V族化合物のV族元素を窒素に置換してIII族窒化物101を形成する工程と、(b) V族元素を窒素に置換することで形成されたIII族窒化物101上にIII族窒化物半導体102を少なくとも一層、結晶成長する工程と、(c) III-V族化合物のV族元素を窒素に置換して形成されたIII族窒化物の領域で、結晶成長したIII族窒化物半導体層102を第一の基板100から分離する工程と、を含むことを特徴としており、III-V族化合物のV族元素を窒素に置換して形成したIII族窒化物上に、III族窒化物半導体膜を結晶成長するので、クラックが無い、大面積のIII族窒化物半導体基板を作製することができる。
Claim (excerpt):
III族窒化物からなる半導体基板の作製方法において、(a) 少なくとも表面がIII-V族化合物である第一の基板を窒化し、このIII-V族化合物のV族元素を窒素に置換してIII族窒化物を形成する工程と、(b) V族元素を窒素に置換することで形成されたIII族窒化物上にIII族窒化物半導体を少なくとも一層、結晶成長する工程と、(c) III-V族化合物のV族元素を窒素に置換して形成されたIII族窒化物の領域で、結晶成長したIII族窒化物半導体層を第一の基板から分離する工程と、を含むことを特徴とする半導体基板の作製方法。
IPC (3):
H01S 5/343
, H01L 21/205
, H01L 33/00
FI (3):
H01S 5/343
, H01L 21/205
, H01L 33/00 C
F-Term (51):
5F041AA31
, 5F041AA33
, 5F041AA40
, 5F041CA05
, 5F041CA33
, 5F041CA34
, 5F041CA35
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA65
, 5F041CA82
, 5F041CA92
, 5F041CB02
, 5F041FF16
, 5F045AA04
, 5F045AB10
, 5F045AB11
, 5F045AB14
, 5F045AB17
, 5F045AB32
, 5F045AC01
, 5F045AC08
, 5F045AC12
, 5F045AD14
, 5F045AF03
, 5F045AF04
, 5F045AF09
, 5F045AF20
, 5F045BB08
, 5F045BB12
, 5F045BB13
, 5F045CA09
, 5F045CA12
, 5F045DA52
, 5F045DA61
, 5F045DB02
, 5F045GH08
, 5F045GH09
, 5F045HA06
, 5F045HA14
, 5F073AA11
, 5F073AA45
, 5F073AA74
, 5F073BA06
, 5F073CA07
, 5F073CB02
, 5F073CB22
, 5F073DA05
, 5F073DA32
, 5F073DA35
, 5F073EA29
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