レジスト組成物

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002057342
Publication number (International publication number)：2003255540
Application date： Mar. 04, 2002
Publication date： Sep. 10, 2003
Summary：

【要約】【課題】KrF、ArFエキシマレーザー等の遠紫外線やF2エキシマレーザー等の真空紫外線を用いる、微細加工に有用な化学増幅型レジスト組成物を提供すること。【解決手段】含フッ素ジエンが環化重合した繰り返し単位及びアクリル系単量体が重合した繰り返し単位を有し、かつブロック化酸性基を有する含フッ素ポリマー(A)、光照射を受けて酸を発生する酸発生化合物(B)及び有機溶媒(C)を含むことを特徴とするレジスト組成物。

Claim (excerpt)：

下記の含フッ素ポリマー(A)、光照射を受けて酸を発生する酸発生化合物(B)及び有機溶媒(C)を含むことを特徴とするレジスト組成物。含フッ素ポリマー(A):式(1)で表される含フッ素ジエンが環化重合した繰り返し単位及び式(2)で表されるアクリル系単量体が重合した繰り返し単位を有する含フッ素ポリマーであって、式(1)で表される含フッ素ジエンと式(2)で表されるアクリル系単量体とを重合して得られる共重合体がブロック化酸性基を有しない場合は、該共重合体中にブロック化酸性基を形成して得られる、ブロック化酸性基を有する含フッ素ポリマー。CF2=CR1-Q-CR2=CH2 ・・・(1)(ただし、R1、R2は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を表し、Qは2価の有機基であって、かつ酸により酸性基を発現することができるブロック化酸性基、酸性基又は酸性基以外の該ブロック化酸性基に変換しうる基を有する有機基を表す。)CH2=CR3-CO2R4 ・・・(2)(ただし、R3は水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を表し、R4は水素原子、炭化水素基、酸性基を有する有機基、酸により酸性基を発現することができるブロック化酸性基を有する有機基、酸性基以外の該ブロック化酸性基に変換しうる基を有する有機基を表す。)

IPC (3)：

G03F 7/039 601 , C08F220/10 , H01L 21/027

FI (3)：

G03F 7/039 601 , C08F220/10 , H01L 21/30 502 R

F-Term (44)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AA10 , 2H025AA18 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB12 , 2H025CB14 , 2H025CB41 , 2H025CC03 , 2H025FA17 , 4J100AJ02Q , 4J100AL03Q , 4J100AL08Q , 4J100AS13P , 4J100BA02P , 4J100BA02Q , 4J100BA03Q , 4J100BA04P , 4J100BA04Q , 4J100BA05P , 4J100BA05Q , 4J100BA06P , 4J100BA22P , 4J100BA22Q , 4J100BB07P , 4J100BB07Q , 4J100BB12P , 4J100BB13Q , 4J100BB18P , 4J100BB18Q , 4J100BC04Q , 4J100BC09Q , 4J100BC43Q , 4J100BC53P , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100FA03 , 4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

感光性樹脂組成物、それを用いた樹脂膜の製造法及び物品
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-253226 Applicant：日立化成工業株式会社, 旭硝子株式会社

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