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J-GLOBAL ID：200903024952118651

ガス検知膜とその製法

Inventor： 佐藤 康弘 ,  太田 和三郎 ,  石田 力 ,  藤沢 悦子
Applicant, Patent owner： 株式会社リコー
Agent (1)： 友松 英爾 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993353702
Publication number (International publication number)：1995198648
Application date： Dec. 29, 1993
Publication date： Aug. 01, 1995
Summary：

【要約】【目的】 本発明の目的は、前記形態を異にする複層構造をもつSnO2薄膜に、熱による歪を受けにくい性質を付与し、電気特性や経時変化に対する安定性を向上する点にある。【構成】 (イ)上層は微粒子構造で、下層は柱状構造の二層構造(ロ)上層は連続膜構造で、下層は微粒子構造の二層構造(ハ)上層は連続膜構造で、下層は柱状構造の二層構造(ニ)連続膜構造をした上層と微粒子構造をした中層と柱状構造をした下層よりなる三層構造よりなる群から選らばれた複層構造をもつ酸化すず半導体薄膜よりなるガス検知膜において、SnO2の結晶構造が主として正方晶であり、他の結晶構造(立方晶、斜方晶)の含有率が1/10以下であることを特徴とするガス検知膜。

Claim (excerpt)：

絶縁性基板上に形成されており、かつその形態を異にする複層構造を有する酸化すず半導体薄膜の抵抗値変化を利用してガス検知を行なうガス検知膜において、SnO2の結晶構造が主として正方晶であり、他の結晶構造(立方晶、斜方晶)の含有率が1/10以下であることを特徴とするガス検知膜。