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J-GLOBAL ID：200903024957660306

三次元錯体の内部空孔での光化学反応によるシクロブタン誘導体の製造方法

Inventor： 藤田 誠 ,  楠川 隆博 ,  吉沢 道人
Applicant, Patent owner： 科学技術振興事業団
Agent (1)： 宮本 晴視
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001246043
Publication number (International publication number)：2003055271
Application date： Aug. 14, 2001
Publication date： Feb. 26, 2003
Summary：

【要約】【課題】 自己組織的に形成される孤立三次元空間の技術の利用を発展させること【解決手段】 収束性遷移金属錯体と該錯体に自己組織的に配位する3以上の結合サイトを有するパネル状有機分子とから自己組織的に形成される孤立三次元空間内に、光化学反応によりシクロブタン環を形成して二量化する同種の化合物(ホモ)または異種の化合物(ヘテロ)を包接させ、光照射することによりシクロブタン環の形成によりシクロブタン誘導体を製造する方法。

Claim (excerpt)：

収束性遷移金属錯体と該錯体に自己組織的に配位する3以上の結合サイトを有するパネル状有機分子とから自己組織的に形成される孤立三次元空間内に、光化学反応によりシクロブタン環を形成して二量化する同種の化合物(ホモ)または異種の化合物(ヘテロ)を包接させ、光照射することによりシクロブタン環の形成によりシクロブタン誘導体を製造する方法。

IPC (6)：

C07C 2/42 ,  C07C 13/62 ,  C07C 46/00 ,  C07C 50/22 ,  C07C 50/36 ,  C07M 9:00

FI (6)：

C07C 2/42 ,  C07C 13/62 ,  C07C 46/00 ,  C07C 50/22 ,  C07C 50/36 ,  C07M 9:00

F-Term (7)：

4H006AA02 ,  4H006AC28 ,  4H006BA25 ,  4H006BA47 ,  4H006BA95 ,  4H006BB31 ,  4H006BC10