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J-GLOBAL ID：200903024965892267

半導体装置の製造方法

Inventor： 長田 俊彦
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992088749
Publication number (International publication number)：1993291412
Application date： Apr. 09, 1992
Publication date： Nov. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】本発明は、多層配線間に形成される絶縁膜を備えた半導体装置に関し、配線間の寄生容量を減少させることを目的とする。【構成】少なくともC60F60とSiO2の複合材料からなる層間絶縁膜を含み構成する。

Claim (excerpt)：

少なくともC60F60とSiO2の複合材料からなる層間絶縁膜を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/312