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J-GLOBAL ID：200903024968772564

半導体装置および半導体装置の製造方法

Inventor： 末田 雅博 ,  鶴 隆行
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 寒川 誠一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993231348
Publication number (International publication number)：1995086281
Application date： Sep. 17, 1993
Publication date： Mar. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置および半導体装置の製造方法の改良に関するものであり、製造工程数を増加することなく安定な電源電圧を供給できる半導体装置と、低抵抗の信号配線を有する半導体装置と、これらの半導体装置の製造方法との改良とである。【構成】 アルミニウムよりなる電源配線30の一部に、並列的に、または、直列的に、厚い金の膜よりなる金配線50が形成されている半導体装置である。そして、金の柱状部材よりなる電源供給用バンプを形成すると同時に、厚い金の膜よりなる配線を形成する工程を有する半導体装置の製造方法である。

Claim (excerpt)：

アルミニウムよりなる電源配線(30)の一部に、並列的に、または、直列的に、厚い金の膜よりなる金配線(50)が形成されてなることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/321

FI (3)：

H01L 21/88 Z ,  H01L 21/88 M ,  H01L 21/92 C