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J-GLOBAL ID：200903024971769566
配線形成方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991342327
Publication number (International publication number)：1993152292
Application date： Nov. 30, 1991
Publication date： Jun. 18, 1993
Summary：
【要約】【目的】 ブランケットCVD法においてW層による接続孔の埋め込み特性を改善し、原料ガスによる基板の浸食を防止する。【構成】 SiO2 層間絶縁膜5にコンタクト・ホール7を開口し、全面にCVD法によりコンフォーマルなCVD-TiN層を成膜した後、これをエッチバックして側壁面上にサイドウォール8aを形成する。続いてSiH4 還元法でW核を成長させ、低WF6 流量H2 還元法でWの中間バリヤ層10を形成し、さらに高WF6 流量H2 還元法でW埋め込み層11を形成し、Blk-W層12を完成する。コンタクト・ホール7の開口端が予めサイドウォール8aによりラウンド形状とされているので、中間バリヤ層10のカバレッジの低さをカバーできる。ウェハが最初から大流量のWF6 に曝されないので、Si基板1の浸食も防止できる。
Claim (excerpt)：
基板上の絶縁膜に接続孔を開口する工程と、CVD法により少なくとも前記接続孔の内壁面を被覆するごとく窒化チタン層を成膜する工程と、前記窒化チタン層をエッチバックすることにより該窒化チタン層を少なくとも前記接続孔の側壁面上に残す工程と、前記接続孔を高融点金属層で充填する工程とを有することを特徴とする配線形成方法。
IPC (2)：
H01L 21/3205
, H01L 21/302
