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J-GLOBAL ID：200903024977559687
半導体装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
内原 晋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991000347
Publication number (International publication number)：1993003166
Application date： Jan. 08, 1991
Publication date： Jan. 08, 1993
Summary：
【要約】【構成】BPSG膜2,酸化シリコン膜3,BPSG膜4を順次積層して設けた層間絶縁膜にコンタクト孔を設け、コンタクト孔の側面にのみ、多結晶シリコン膜7を設けたコンタクト孔にアルミニウム電極8を設ける。【効果】コンタクト孔底面の酸化膜エッチングの際に生ずる酸化シリコン膜の側面の窪みの発生を抑えてコンタクト孔の金属電極のコンタクト不良を防止する。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に設けた酸化シリコン膜と、前記酸化シリコン膜の上に設けたBPSG膜と、前記酸化シリコン膜及びBPSG膜を選択的に順次エッチングして設けたコンタクト孔と、前記コンタクト孔の側面にのみ設けた多結晶シリコン膜と、前記コンタクト孔に設けた金属電極とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (4)：
H01L 21/28
, H01L 21/28 301
, H01L 21/3205
, H01L 21/90
Cited by examiner (6)
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